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R5009FNX

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N° Mouser :

755-R5009FNX

N° de fab. :

R5009FNX

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Trans MOSFET N-CH 500V 9A

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

R5009FNX Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fab. :

ROHM Semiconductor

N° de fab. :

R6009KNXC7G

Description :

MOSFET TO220 600V 9A N-CH MOSFET

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220FM-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	9 A
Rds On - Résistance drain-source:	840 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	18 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	51 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Bulk
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	40 ns
Transconductance directe - min.:	4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Série:	R5009FNX
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	24 ns
Poids de l''unité:	2 g