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R6008FNX

Name: ROHM Semiconductor R6008FNX
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-R6008FNX
Price: 4.27 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

755-R6008FNX

N° de fab. :

R6008FNX

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

R6008FNX Fiche technique

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500	Devis

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Comparer avec la pièce actuelle

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220FP-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	8 A
Rds On - Résistance drain-source:	950 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	20 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	50 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Bulk
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	30 ns
Transconductance directe - min.:	2.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Poids de l''unité:	2 g