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R6012FNX

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N° Mouser :

755-R6012FNX

N° de fab. :

R6012FNX

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 12A

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

R6012FNX Fiche technique

Modèle de ECAO:

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ROHM Semiconductor

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Description :

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220FP-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	12 A
Rds On - Résistance drain-source:	510 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Qg - Charge de grille:	35 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	50 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Bulk
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	20 ns
Transconductance directe - min.:	3.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	37 ns
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	77 ns
Délai d'activation standard:	30 ns
Poids de l''unité:	2 g