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RD3G04BBKHRBTL

Name: ROHM Semiconductor RD3G04BBKHRBTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3G04BBKHRBTL
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RD3G04BBKHRBTL

N° de fab. :

RD3G04BBKHRBTL

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET TO252 N-CH 40V 40A

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

RD3G04BBKHRBTL Fiche technique

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,51 €	1,51 €
	0,963 €	9,63 €
	0,644 €	64,40 €
	0,508 €	254,00 €
	0,465 €	465,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,418 €	1 045,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	14.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	53 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	7 ns
Transconductance directe - min.:	8.9 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	37 ns
Délai d'activation standard:	13 ns

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.