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RQ6P020ATTCR

Name: ROHM Semiconductor RQ6P020ATTCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ6P020ATTCR
Price: 0.78 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-RQ6P020ATTCR

N° de fab. :

RQ6P020ATTCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)

Fiche technique:

RQ6P020ATTCR Fiche technique

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-,-- €

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,783 €	0,78 €
	0,557 €	5,57 €
	0,373 €	37,30 €
	0,288 €	144,00 €
	0,261 €	261,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,225 €	675,00 €
	0,208 €	1 248,00 €
	0,195 €	1 755,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-457T-6
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Rds On - Résistance drain-source:	220 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	24 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.25 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	30 ns
Transconductance directe - min.:	3.4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	83 ns
Délai d'activation standard:	8.9 ns

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance SiC à canal N de 4e génération

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium (SiC) à canal N de 4e génération de ROHM Semiconductor fournissent de faibles résistances à l'état passant avec des améliorations du temps de tenue aux courts-circuits. Les MOSFET SiC de 4e génération sont faciles à mettre en parallèle et à piloter. Les MOSFET offrent des vitesses de commutation élevées et unerécupération inverse rapide, de faibles pertes de commutation et une température de fonctionnement maximale de +175°C. Les MOSFET de puissance SSiC à canal N de 4e génération de ROHM prennent en charge une tension grille-source de 15 V, ce qui contribue à l'économie d'énergie du dispositif.

Electronic Vehicle (EV) Solutions

ROHM Semiconductor Electronic Vehicle (EV) Solutions are designed to improve efficiency and performance in state-of-the-art EVs. ROHM offers products optimized for various solutions, with a focus on dedicated EV blocks, such as the main inverter, DC-DC converter, onboard charger, and electric compressor.