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RS1E320GNTB

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N° Mouser :

755-RS1E320GNTB

N° de fab. :

RS1E320GNTB

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

RS1E320GNTB Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

Stock:: Indisponible

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Fab. :

ROHM Semiconductor

N° de fab. :

RS1E321GNTB1

Description :

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 32.1A(Id), (4.5V Drive)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	32 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	42.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3 W
Conditionnement:	Reel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TH
Temps de descente:	28.5 ns
Transconductance directe - min.:	35 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	15.6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	74.6 ns
Délai d'activation standard:	21.8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	RS1E320GN
Poids de l''unité:	771,020 mg