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SH8K1TB1

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N° Mouser :

755-SH8K1TB1

N° de fab. :

SH8K1TB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET Nch+Nch 30V 5A MOSFET

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

Stock:: Indisponible

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	5 A
Rds On - Résistance drain-source:	36 mOhms
Qg - Charge de grille:	3.9 nC
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Conditionnement:	Reel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Poids de l''unité:	83 mg

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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ROHM SEMICONDUCTOR

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MOSFET à signal faible et canal P RQ5G040AT -40 V

Un MOSFET spécifié pour une tension drain-source de -40 V (V_DSS) et un courant de drain continu (I_D) de ±4,0 A.

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MOSFET de puissance de qualité automobile avec une tension V_DSS de 100 V et un courant I_D de ±40 A, conforme à la norme AEC-Q101.