UT6JE5TCR

ROHM Semiconductor
755-UT6JE5TCR
UT6JE5TCR

Fab. :

Description :
MOSFET -100V 1.0A, Dual Pch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET

Modèle de ECAO:
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Délai usine :
16
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
0,396 € 0,40 €
0,245 € 2,45 €
0,197 € 19,70 €
0,187 € 93,50 €
0,18 € 180,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,169 € 507,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
ROHM Semiconductor
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-2020-8D
P-Channel
2 Channel
100 V
1 A
840 mOhms
- 20 V, 20 V
2.5 V
6.7 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: ROHM Semiconductor
Configuration: Dual
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TH
Temps de descente: 25 ns
Transconductance directe - min.: 1.3 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 5.4 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 2 P-Channel
Délai de désactivation type: 31 ns
Délai d'activation standard: 6.3 ns
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99