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RM2304V-T

Name: Rectron RM2304V-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM2304V-T
Price: 0.1 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

583-RM2304V-T

N° de fab. :

RM2304V-T

Fab. :

Rectron

Description :

MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Fiche technique:

RM2304V-T Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Rectron
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	3.6 A
Rds On - Résistance drain-source:	58 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.7 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Rectron
Configuration:	Single
Temps de descente:	20 ns
Transconductance directe - min.:	11 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	50 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	10 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Poids de l''unité:	8 mg