Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

RM35N30DF

Name: Rectron RM35N30DF
Brand: Rectron
SKU: 583-RM35N30DF
Price: 0.31 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

583-RM35N30DF

N° de fab. :

RM35N30DF

Fab. :

Rectron

Description :

MOSFET DFN MOSFET

Fiche technique:

RM35N30DF Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: Demander un devis de livraison

Entrez la quantité:

Minimum : 5000 Multiples : 5000

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,319 €	1 595,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Rectron
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	35 A
Rds On - Résistance drain-source:	7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	45 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	40 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Rectron
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	30 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	34 ns
Délai d'activation standard:	18 ns
Poids de l''unité:	161,193 mg