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RM4N700IP

Name: Rectron RM4N700IP
Brand: Rectron
SKU: 583-RM4N700IP
Price: 0.47 EUR
Availability: OutOfStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

583-RM4N700IP

N° de fab. :

RM4N700IP

Fab. :

Rectron

Description :

MOSFET TO-251 MOSFET

Fiche technique:

RM4N700IP Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	0,442 €	1 060,80 €
	0,421 €	2 357,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Rectron
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-251-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	700 V
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.4 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	10 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	46 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Rectron
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	48 ns
Délai d'activation standard:	6 ns
Poids de l''unité:	340 mg