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RM8N650IP

Name: Rectron RM8N650IP
Brand: Rectron
SKU: 583-RM8N650IP
Price: 0.67 EUR
Availability: OutOfStock

N° Mouser :

583-RM8N650IP

N° de fab. :

RM8N650IP

Fab. :

Rectron

Description :

MOSFET TO-251 MOSFET

Fiche technique:

RM8N650IP Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Rectron
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-251-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	8 A
Rds On - Résistance drain-source:	540 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	22 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	80 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Rectron
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	6.5 ns
Transconductance directe - min.:	5.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3.5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	55 ns
Délai d'activation standard:	5.5 ns
Poids de l''unité:	340 mg