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71V416S12BEG

Name: Renesas Electronics 71V416S12BEG
Brand: Renesas Electronics
SKU: 972-71V416S12BEG
Price: 8.03 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

972-71V416S12BEG

N° de fab. :

71V416S12BEG

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM

Fiche technique:

71V416S12BEG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,03 €	2 007,50 €
	7,86 €	3 930,00 €
	7,71 €	7 710,00 €
2 500	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	SRAM
RoHS:
Taille de la mémoire:	4 Mbit
Organisation:	256 k x 16
Temps d'accès:	12 ns
Type d'interface:	Parallel
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Tension d’alimentation - Min.:	3 V
Courant d’alimentation maximal:	180 mA
Température de fonctionnement min.:	0 C
Température de fonctionnement max.:	+ 70 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	CABGA-48
Conditionnement:	Tray
Marque:	Renesas Electronics
Type de mémoire:	SDR
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	SRAM
Série:	71V416S12
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Type:	Asynchronous
Raccourcis pour l'article N°:	IDT71V416S12BEG 71V416

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Design Resource

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Codes de conformité

TARIC:: 8542324500
CNHTS:: 8542319090
CAHTS:: 8542320041
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232019
KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3A991.b.2.a

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

SRAM asynchrones

Les SRAM asynchrones de Renesas Electronics sont basées sur une technologie CMOS à haute performance et haute fiabilité. La technologie et les techniques innovantes de conception de circuit fournissent une solution économique pour les besoins en mémoire SRAM asynchrone à haut débit. Les circuits asynchrones entièrement statiques ne nécessitent aucune horloge ni aucun rafraîchissement pour fonctionner. Le Renesas fournit une SRAM asynchrone dans un boîtier RoHS compatible au 6/6 (vert) passant par des options de boîtier standard pour l’industrie.