71V424S12PHG

Renesas Electronics
972-71V424S12PHG
71V424S12PHG

Fab. :

Description :
SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM

Modèle de ECAO:
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Renesas Electronics
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
512 k x 8
12 ns
Parallel
3.6 V
3 V
170 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
TSOP-44
Tray
Marque: Renesas Electronics
Type de mémoire: SDR
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: SRAM
Série: 71V424S12
Nombre de pièces de l'usine: 135
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Type: Asynchronous
Raccourcis pour l'article N°: IDT71V424S12PHG 71V424
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Codes de conformité
TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
JPHTS:
854232019
KRHTS:
8542321020
MXHTS:
8542320201
ECCN:
3A991.b.2.a
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

SRAM asynchrones

Les SRAM asynchrones de Renesas Electronics sont basées sur une technologie CMOS à haute performance et haute fiabilité. La technologie et les techniques innovantes de conception de circuit fournissent une solution économique pour les besoins en mémoire SRAM asynchrone à haut débit. Les circuits asynchrones entièrement statiques ne nécessitent aucune horloge ni aucun rafraîchissement pour fonctionner. Le Renesas fournit une SRAM asynchrone dans un boîtier RoHS compatible au 6/6 (vert) passant par des options de boîtier standard pour l’industrie.