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NP16N06QLK-E1-AY

Name: Renesas Electronics NP16N06QLK-E1-AY
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-NP16N06QLKE1AY
Price: 0.83 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

968-NP16N06QLKE1AY

N° de fab. :

NP16N06QLK-E1-AY

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

MOSFET Nch Power MOSFET 60V 16A 39mohm SON-8 5x6

Fiche technique:

NP16N06QLK-E1-AY Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	16 A
Rds On - Résistance drain-source:	39 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	11 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	25 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Temps de descente:	3 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel Power MOSFET
Délai de désactivation type:	30 ns
Délai d'activation standard:	15 ns

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TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

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