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TP65H035WS

Name: Renesas Electronics TP65H035WS
Brand: Renesas Electronics
SKU: 227-TP65H035WS
Price: 18.65 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

227-TP65H035WS

N° de fab. :

TP65H035WS

Fab. :

Renesas Electronics

Description :

FET GaN 650V, 35mOhm

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

TP65H035WS Fiche technique

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Disponibilité restreinte: Cette référence n''est actuellement pas disponible auprès de Mouser. Le produit peut être disponible en distribution limitée ou par commande spéciale d''usine.

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Renesas Electronics
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	46.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	41 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.3 V
Qg - Charge de grille:	36 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	156 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Renesas Electronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	11.5 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	GaN FETs
Temps de montée:	13.5 ns
Série:	TP65H
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Délai de désactivation type:	98.5 ns
Délai d'activation standard:	69 ns
Poids de l''unité:	6 g