BUL1102EFP

STMicroelectronics
511-BUL1102EFP
BUL1102EFP

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires - BJT High voltage fast-switching NPN power transistor

Modèle de ECAO:
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31/08/2026 attendu
3 000
07/09/2026 attendu
Délai usine :
14
Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,00 € 2,00 €
1,12 € 11,20 €
0,857 € 85,70 €
0,694 € 347,00 €
0,622 € 622,00 €
0,559 € 1 397,50 €
0,509 € 2 545,00 €
0,502 € 5 020,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FP-3
NPN
Single
4 A
450 V
12 V
1.5 V
30 W
+ 150 C
BUL1102E
Tube
Marque: STMicroelectronics
Courant de collecteur continu : 4 A
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: SG
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 35 at 250 mA, 5 V, 12 at 2 A, 5 V
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 2,565 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

PRODUITS PRÉSENTÉS
STMICROELECTRONICS