GWA75H65DRFB2AG

STMicroelectronics
511-GWA75H65DRFB2AG
GWA75H65DRFB2AG

Fab. :

Description :
IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
14 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 600   Multiples : 600
Prix unitaire:
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Tarif est.:
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2,54 € 1 524,00 €

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STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
AEC-Q100
Tube
Marque: STMicroelectronics
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 600
Sous-catégorie: IGBTs
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99