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IRF530

STMicroelectronics

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N° Mouser :

511-IRF530

N° de fab. :

IRF530

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 100 Volt 16 Amp

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Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

IRF530 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:	N
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	14 A
Rds On - Résistance drain-source:	180 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	60 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	IRF530
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	32 ns
Délai d'activation standard:	16 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

IRF530 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Singapour
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

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