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M2TP80M12W2-2LA

Name: STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M2TP80M12W2-2LA
Price: 42.36 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-M2TP80M12W2-2LA

N° de fab. :

M2TP80M12W2-2LA

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

Modules MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC

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M2TP80M12W2-2LA Fiche technique (PDF)

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	31,67 €	348,37 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Press Fit
Nombre de canaux:	6 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	114 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Hauteur:	5.7 mm
Longueur:	44 mm
Produit:	Power Modules
Type de produit:	MOSFET Modules
Qualification:	AQG 324
Nombre de pièces de l'usine:	11
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Vf - Tension directe:	1.1 V
Largeur:	27.4 mm
Poids de l''unité:	13 g

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Fiche technique

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PCN

Product Change Notification 2025-9-17 (PDF)

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CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Module d’alimentation automobile M2TP80M12W2-2LA

Le module d’alimentation automobile M2TP80M12W2-2LA de STMicroelectronics propose une topologie PFC triphasée à quatre fils avec NTC intégré, adaptée à l’étape PFC de l’OBC dans les véhicules électriques et hybrides. Le module d’alimentation intègre six MOSFET de puissance en carbure de silicium de deuxième génération. La technologie de puce bien reconnue permet au M2TP80M12W2-2LA de STMicroelectronics de minimiser les pertes d’énergie et de fonctionner en mode haute fréquence de commutation. Le module permet aux utilisateurs de créer des topologies complexes avec des densités haute puissance et des exigences haute efficacité très élevées.