MASTERGAN1LTR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN1LTR
MASTERGAN1LTR

Fab. :

Description :
Commandes de grilles 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 1 274

Stock:
1 274 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
6,14 € 6,14 €
4,74 € 47,40 €
4,39 € 109,75 €
4,01 € 401,00 €
3,82 € 955,00 €
3,71 € 1 855,00 €
3,62 € 3 620,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
3,50 € 10 500,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: Commandes de grilles
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-31
4 Output
17 A
4.75 V
9.5 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
Marque: STMicroelectronics
Délai de désactivation max.: 45 ns
Délai d'activation max.: 45 ns
Sensibles à l’humidité: Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement: 10 A
Pd - Dissipation d’énergie : 40 mW
Type de produit: Gate Drivers
Temps de propagation maximal: 70 ns
Rds On - Résistance drain-source: 330 mOhms
Arrêt: Shutdown
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: GaN
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Pilotes haute tension demi-pont GaN MASTERGAN

Les pilotes haute tension demi-pont GaN MASTERGAN de STMicroelectronics mettent en œuvre une alimentation à haute densité de puissance avec l’intégration d’un pilote de grille et de deux transistors GaN à mode d’amélioration dans une configuration demi-pont. Le GaN de puissance intégré dispose d’un RDS (ON) de 150 mΩ et d’une tension de claquage drain-source 650V. La diode bootstrap intégrée peut rapidement fournir le côté haut du pilote de grille intégré.