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MASTERGAN4

Name: STMicroelectronics MASTERGAN4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN4
Price: 7.45 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-MASTERGAN4

N° de fab. :

MASTERGAN4

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

Commandes de grilles High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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Fiche technique:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,45 €	7,45 €
	5,74 €	57,40 €
	5,32 €	133,00 €
	4,85 €	485,00 €
	4,71 €	1 177,50 €
	4,60 €	2 300,00 €
	4,23 €	4 230,00 €
	4,20 €	10 500,00 €
4 680	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	Commandes de grilles
RoHS:
Produit:	Half-Bridge Drivers
Type:	Half-Bridge
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-31
Nombre de pilotes:	2 Driver
Nombre de sorties:	3 Output
Courant de sortie:	6.5 A
Tension d’alimentation - Min.:	3.3 V
Tension d’alimentation - Max.:	15 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Série:	MASTERGAN
Conditionnement:	Tray
Marque:	STMicroelectronics
Fonctionnalités:	600 V System-in-Package Integrating Half-Bridge Gate Driver
Tension d'entrée - min.:	3.3 V
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	Gate Drivers
Rds On - Résistance drain-source:	225 mOhms
Nombre de pièces de l'usine:	1560
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs
Poids de l''unité:	150 mg

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Fiche technique

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PCN

Codes de conformité

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Pilotes haute tension demi-pont GaN MASTERGAN

Les pilotes haute tension demi-pont GaN MASTERGAN de STMicroelectronics mettent en œuvre une alimentation à haute densité de puissance avec l’intégration d’un pilote de grille et de deux transistors GaN à mode d’amélioration dans une configuration demi-pont. Le GaN de puissance intégré dispose d’un R_{DS (ON)} de 150 mΩ et d’une tension de claquage drain-source 650V. La diode bootstrap intégrée peut rapidement fournir le côté haut du pilote de grille intégré.