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PD57018STR-E

Name: STMicroelectronics PD57018STR-E
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-PD57018STR-E
Price: 18.05 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-PD57018STR-E

N° de fab. :

PD57018STR-E

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

Transistors MOSFET RF POWER R.F.

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Fiche technique:

PD57018STR-E Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

PD57018S-E

Conditionnement:

Tube

Disponibilité:

En stock

Prix:

23,35 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	Transistors MOSFET RF
RoHS:
Polarité du transistor:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Courant continu de fuite:	2.5 A
Vds - Tension de rupture drain-source:	65 V
Rds On - Résistance drain-source:	760 mOhms
Fréquence de fonctionnement:	1 GHz
Gain:	16.5 dB
Alimentation en sortie:	18 W
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerSO-10RF-Straight-4
Conditionnement:	Reel
Marque:	STMicroelectronics
Sensibles à l’humidité:	Yes
Pd - Dissipation d’énergie :	31.7 W
Type de produit:	RF MOSFET Transistors
Série:	PD57018-E
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	MOSFETs
Type:	RF Power MOSFET
Vgs - Tension grille-source:	+ 20 V
Poids de l''unité:	3 g