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PD57030-E

Name: STMicroelectronics PD57030-E
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-PD57030-E
Price: 42.04 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

511-PD57030-E

N° de fab. :

PD57030-E

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

Transistors MOSFET RF RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch

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Fiche technique:

PD57030-E Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	42,04 €	42,04 €
	31,47 €	314,70 €
	30,67 €	3 067,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	Transistors MOSFET RF
RoHS:
Polarité du transistor:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Vds - Tension de rupture drain-source:	65 V
Fréquence de fonctionnement:	1 GHz
Gain:	14 dB
Alimentation en sortie:	30 W
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerSO-10RF-Formed-4
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Sensibles à l’humidité:	Yes
Pd - Dissipation d’énergie :	52.8 W
Type de produit:	RF MOSFET Transistors
Série:	PD57030-E
Nombre de pièces de l'usine:	400
Sous-catégorie:	MOSFETs
Type:	RF Power MOSFET
Vgs - Tension grille-source:	+ 20 V
Poids de l''unité:	3 g