RF2L16180CB4

STMicroelectronics
511-RF2L16180CB4
RF2L16180CB4

Fab. :

Description :
Transistors MOSFET RF 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

Cycle de vie:
NRND:
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: Transistors MOSFET RF
RoHS:  
N-Channel
Si
2.5 A
65 V
1 Ohms
1.6 GHz
14 dB
180 W
+ 200 C
SMD/SMT
B4E-5
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Nombre de canaux: 1 Channel
Type de produit: RF MOSFET Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 120
Sous-catégorie: MOSFETs
Type: RF Power MOSFET
Vgs - Tension grille-source: + 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2.5 V
Poids de l''unité: 4 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Transistors LDMOS de puissance RF RFxL

Les transistors LDMOS de puissance RF RFxL de STMicroelectronics offrent des performances élevées conçues pour de nombreuses applications avec différentes bandes de fréquence. Les transistors de puissance RF RFxL sont disponibles en boîtiers B4E, B2 et LBB.