RF3L05250CB4

STMicroelectronics
511-RF3L05250CB4
RF3L05250CB4

Fab. :

Description :
Transistors MOSFET RF 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz

Cycle de vie:
NRND:
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: Transistors MOSFET RF
RoHS:  
N-Channel
Si
2.5 A
90 V
1 Ohms
1 MHz
18 dB
250 W
+ 200 C
SMD/SMT
LBB-5
Reel
Marque: STMicroelectronics
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Nombre de canaux: 1 Channel
Pd - Dissipation d’énergie : 250 W
Type de produit: RF MOSFET Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 100
Sous-catégorie: MOSFETs
Type: RF Power MOSFET
Vgs - Tension grille-source: + 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2.5 V
Poids de l''unité: 2,400 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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Les transistors LDMOS de puissance RF RFxL de STMicroelectronics offrent des performances élevées conçues pour de nombreuses applications avec différentes bandes de fréquence. Les transistors de puissance RF RFxL sont disponibles en boîtiers B4E, B2 et LBB.