RF5L15120CB4

STMicroelectronics
511-RF5L15120CB4
RF5L15120CB4

Fab. :

Description :
Transistors MOSFET RF 120 W 50 V RF power LDMOS transistor from HF to 1.5 GHz

Cycle de vie:
NRND:
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STMicroelectronics
Catégorie du produit: Transistors MOSFET RF
RoHS:  
Dual N-Channel
Si
2.5 A
95 V
1 Ohms
1 GHz
20 dB
120 W
+ 200 C
SMD/SMT
LBB-5
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Sensibles à l’humidité: Yes
Nombre de canaux: 2 Channel
Type de produit: RF MOSFET Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 100
Sous-catégorie: MOSFETs
Type: RF Power MOSFET
Vgs - Tension grille-source: - 8 V, + 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2.8 V
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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Transistor LDMOS de puissance RF RF5L15120CB4

Le transistor LDMOS de puissance RF RF5L15120CB4 de STMicroelectronics dispose d'une haute efficacité et d'un fonctionnement à gain linéaire. Le FET LDMOS 120 W RF5L15120CB4 fournit une plage de tension grille/source positive et négative significative. L'appareil peut être utilisé en classe AB/B et en classe C pour tous les formats de modulation standard.