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SH32N65DM6AG

Name: STMicroelectronics SH32N65DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SH32N65DM6AG
Price: 15.32 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-SH32N65DM6AG

N° de fab. :

SH32N65DM6AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive grade N-channel 650V 89 mOhm 32A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET

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Fiche technique:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 200)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	15,32 €	15,32 €
	11,71 €	117,10 €
	7,27 €	727,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 200)
	7,27 €	1 454,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	32 A
Rds On - Résistance drain-source:	89 mOhms
Qualification:	AQG 324
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	200
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	8,200 g

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.