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STB11NM60-1

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N° Mouser :

511-STB11NM60-1

N° de fab. :

STB11NM60-1

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp

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Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

STB11NM60-1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-262-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	11 A
Rds On - Résistance drain-source:	450 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	160 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	SG
Temps de descente:	11 ns
Transconductance directe - min.:	5.2 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Série:	STB11NM60
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	6 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Poids de l''unité:	2,387 g