STB22N60M6

STMicroelectronics
511-STB22N60M6
STB22N60M6

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

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STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
60 V
15 A
230 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Temps de descente: 8.7 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 6.3 ns
Série: Mdmesh M6
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 32 ns
Délai d'activation standard: 13.6 ns
Poids de l''unité: 1,380 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET MDmesh™ M6

Les MOSFET MDmesh™ M6 STMicroelectronics associent une faible charge de grille (Qg) avec un profil de capacité optimisée pour cibler un haut rendement sur les nouvelles topologies dans les applications de conversion de puissance. La série MDmesh M6 à super-jonction offre des performances à ultra-haut rendement résultant d'une densité de puissance accrue et d'une faible charge de grille pour un fonctionnement à hautes fréquences. Les MOSFET série M6 présentent une tension de rupture allant de 600 à 700 V. Ils sont disponibles dans une large variété d'options de boîtier, notamment une solution TO-LL (TO sans fil) permettant une gestion thermique efficace. Les composants sont fournis dans une large gamme de tensions de fonctionnement pour les applications industrielles, comme les chargeurs, les adaptateurs, les modules Silver Box, l'éclairage à LED, les télécommunications, les serveurs et l'énergie solaire.