STB24N60M6

STMicroelectronics
511-STB24N60M6
STB24N60M6

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package

Modèle de ECAO:
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En stock: 1 580

Stock:
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Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
3,03 € 3,03 €
1,98 € 19,80 €
1,38 € 138,00 €
1,20 € 600,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
1,10 € 1 100,00 €
1,02 € 2 040,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
22 A
190 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
23 nC
- 55 C
+ 150 C
130 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Type de produit: MOSFETs
Série: Mdmesh M6
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 1,380 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET MDmesh™ M6

Les MOSFET MDmesh™ M6 STMicroelectronics associent une faible charge de grille (Qg) avec un profil de capacité optimisée pour cibler un haut rendement sur les nouvelles topologies dans les applications de conversion de puissance. La série MDmesh M6 à super-jonction offre des performances à ultra-haut rendement résultant d'une densité de puissance accrue et d'une faible charge de grille pour un fonctionnement à hautes fréquences. Les MOSFET série M6 présentent une tension de rupture allant de 600 à 700 V. Ils sont disponibles dans une large variété d'options de boîtier, notamment une solution TO-LL (TO sans fil) permettant une gestion thermique efficace. Les composants sont fournis dans une large gamme de tensions de fonctionnement pour les applications industrielles, comme les chargeurs, les adaptateurs, les modules Silver Box, l'éclairage à LED, les télécommunications, les serveurs et l'énergie solaire.