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STB33N60DM6

Name: STMicroelectronics STB33N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB33N60DM6
Price: 1.62 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STB33N60DM6

N° de fab. :

STB33N60DM6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

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Fiche technique:

STB33N60DM6 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	25 A
Rds On - Résistance drain-source:	128 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.25 V
Qg - Charge de grille:	35 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	190 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	35 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	7 ns
Délai d'activation standard:	14 ns
Poids de l''unité:	1,380 g