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STB34N50DM2AG

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N° Mouser :

511-STB34N50DM2AG

N° de fab. :

STB34N50DM2AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.10 Ohm typ 26 A MDmesh DM2 Power MOSFET

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Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

STB34N50DM2AG Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	26 A
Rds On - Résistance drain-source:	120 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	44 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	190 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	8.1 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11.5 ns
Série:	STB34N50DM2AG
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	65.5 ns
Délai d'activation standard:	19.5 ns
Poids de l''unité:	4 g