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STB41N40DM6AG

Name: STMicroelectronics STB41N40DM6AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB41N40DM6AG
Price: 6.68 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STB41N40DM6AG

N° de fab. :

STB41N40DM6AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 50 mOhm typ., 41 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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	6,68 €	6,68 €
	4,52 €	45,20 €
	3,30 €	330,00 €
	3,17 €	1 585,00 €
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	2,97 €	2 970,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	400 V
Id - Courant continu de fuite:	41 A
Rds On - Résistance drain-source:	65 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	53 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	250 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Type de produit:	MOSFETs
Série:	STB41N40DM6AG
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	4 g

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr), combined with low R_DS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.