STB47N50DM6AG

STMicroelectronics
511-STB47N50DM6AG
STB47N50DM6AG

Fab. :

Description :
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 61 mOhm typ., 38 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

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STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
500 V
38 A
71 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
57 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Reel
Cut Tape
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Type de produit: MOSFETs
Série: STB47N50DM6AG
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Poids de l''unité: 4 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr), combined with low RDS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.