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STB4NK60Z-1

Name: STMicroelectronics STB4NK60Z-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB4NK60Z-1
Price: 0.33 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STB4NK60Z-1

N° de fab. :

STB4NK60Z-1

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A

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Fiche technique:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-262-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	4 A
Rds On - Résistance drain-source:	2 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	26 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	70 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperMESH
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MA
Temps de descente:	16.5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9.5 ns
Série:	STB4NK60Z-1
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	29 ns
Délai d'activation standard:	12 ns
Poids de l''unité:	2,387 g