Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

STB80NF55L-08-1

Name: STMicroelectronics STB80NF55L-08-1
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB80NF55L-08-1
Price: 2.96 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STB80NF55L-08-1

N° de fab. :

STB80NF55L-08-1

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A

Complétez votre conception

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

STB80NF55L-08-1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics STB80NF55L-08-1

En stock: 892

Stock:: 892 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Les quantités supérieures à 892 seront soumises à des commandes minimales.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,96 €	2,96 €
	1,51 €	15,10 €
	1,38 €	138,00 €
	1,36 €	680,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-262-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	55 V
Id - Courant continu de fuite:	80 A
Rds On - Résistance drain-source:	8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	75 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	300 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	65 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	145 ns
Série:	STB80NF55L, STP80NF55L
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	85 ns
Délai d'activation standard:	35 ns
Poids de l''unité:	2,387 g