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STD10P6F6

Name: STMicroelectronics STD10P6F6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD10P6F6
Price: 1.19 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

511-STD10P6F6

N° de fab. :

STD10P6F6

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat

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Fiche technique:

STD10P6F6 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,19 €	1,19 €
	0,742 €	7,42 €
	0,491 €	49,10 €
	0,387 €	193,50 €
	0,349 €	349,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,304 €	760,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	160 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	6.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	35 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	STripFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Série:	STD10P6F6
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	14 ns
Délai d'activation standard:	64 ns
Poids de l''unité:	330 mg

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Fiche technique

STD10P6F6 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

STripFET VI™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET VI™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with an updated gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET uses a trench technology for high efficiency and low R_DS(on) required by various automotive and industrial switching applications such as motor control, UPS, DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. These STMicroelectronics MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

MOSFET de puissance STripFET™

Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont des MOSFET à mode d’amélioration qui bénéficient de la toute dernière technologie STripFET™ propriétaire de STMicroelectronics avec une nouvelle structure de grille. Le MOSFET de puissance STripFET™ qui en résulte affiche le courant élevé et le faible R_DS(on) requis par les applications de commutation industrielles et automobiles, telles que les commandes de moteur, les onduleurs, les convertisseurs CC/CC, les évaporateurs par induction et les applications solaires. Les MOSFET de puissance STripFET™ de STMicroelectronics offrent une charge de grille de commutation très faible, une robustesse élevée en matière d'avalanches, de faibles pertes de puissance et une haute densité de puissance. Ces MOSFET de puissance STripFET™ sont les MOSFET 30 V - 150 V qui offrent le plus faible R_DS(on) du marché.
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