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STD4NK100Z

Name: STMicroelectronics STD4NK100Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD4NK100Z
Price: 2.91 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STD4NK100Z

N° de fab. :

STD4NK100Z

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in

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Fiche technique:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,91 €	2,91 €
	1,81 €	18,10 €
	1,32 €	132,00 €
	1,07 €	535,00 €
	0,972 €	972,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,972 €	2 430,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1 kV
Id - Courant continu de fuite:	2.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	6.8 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	18 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	90 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q100
Nom commercial:	SuperMESH
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	39 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7.5 ns
Série:	STD4NK100Z
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai d'activation standard:	15 ns
Poids de l''unité:	330 mg

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Fiche technique

STD4NK100Z Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET haute tension SuperMESH™

Les MOSFET de puissance SuperMESH™ protégés par une diode Zener de STMicroelectronics représentent une optimisation extrême de la disposition PowerMESH™ en bande standard. Les MOSFET SuperMESH de STMicroelectronics SuperMESH réduisent considérablement la résistance à l'état passant tout en garantissant une excellente capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Les dispositifs SuperMESH ont une charge de grille réduite et sont 100 % testés en mode avalanche, tout en offrant une capacité améliorée aux ESD et une nouvelle référence de tension élevée. Ces MOSFET de STMicroelectronics sont destinés aux applications de commutation.
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