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STD8NM60N-1

STMicroelectronics

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N° Mouser :

511-STD8NM60N-1

N° de fab. :

STD8NM60N-1

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Channel 600V Pwr Mosfet

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Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

STD8NM60N-1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-251-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	7 A
Rds On - Résistance drain-source:	650 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	70 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	10 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	12 ns
Série:	STx8NM60N
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Poids de l''unité:	340 mg

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Fiche technique

STD8NM60N-1 Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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