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STDRIVEG600

Name: STMicroelectronics STDRIVEG600
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG600
Price: 4.63 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STDRIVEG600

N° de fab. :

STDRIVEG600

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

Commandes de grilles High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

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Fiche technique:

STDRIVEG600 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	Commandes de grilles
RoHS:
Produit:	Half-Bridge Drivers
Type:	High-Side, Low-Side
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-16
Nombre de pilotes:	2 Driver
Nombre de sorties:	1 Output
Courant de sortie:	5.5 A, 6 A
Tension d’alimentation - Min.:	4.75 V
Tension d’alimentation - Max.:	20 V
Temps de montée:	7 ns
Temps de descente:	5 ns
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Type de logique:	CMOS, TTL
Sensibles à l’humidité:	Yes
Tension de sortie:	520 V
Type de produit:	Gate Drivers
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN

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Fiche technique

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PCN

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Codes de conformité

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Italie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Pilote de grille à demi-pont STDRIVEG600

Le pilote de grille à demi-pont STDRIVEG600 de STMicroelectronics est un pilote de grille à demi-pont à puce unique pour les eHEMT (transistors à haute mobilité d’électrons à mode amélioré) au GaN (nitrure de Gallium) ou les MOSFET de puissance à canal N. Le côté haut du STDRIVEG600 est conçu pour supporter des tensions jusqu’à 600 V et est adapté aux conceptions avec une tension de bus pouvant atteindre 500 V. Ce composant est idéal pour piloter des FET GaN et silicium haut débit en raison de sa capacité de courant élevé, de son délai de propagation court et de son fonctionnement avec une tension d’alimentation pouvant descendre à 5 V.

PRODUITS PRÉSENTÉS

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Pré-pilote de MOSFET à 8 canaux L98GD8E

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Conçu pour fournir une commande robuste et efficace des thyristors de puissance dans les applications industrielles et grand public.

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Pour le GaN à mode d'enrichissement à canal N, et la section de pilote côté haut peut supporter un rail de tension allant jusqu'à 220 V.

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Délai usine :: 18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,63 €	4,63 €
	3,59 €	35,90 €
	3,24 €	81,00 €
	3,16 €	316,00 €
	3,06 €	1 530,00 €
	2,64 €	2 640,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

STDRIVEG600TR

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

3,93 €

Min.:

STDRIVEG600

Fab. : STMicroelectronics

Description : Commandes de grilles High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors Complétez votre conception

Caractéristiques

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PCN

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