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STF11N60M2-EP

Name: STMicroelectronics STF11N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF11N60M2-EP
Price: 2.03 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STF11N60M2-EP

N° de fab. :

STF11N60M2-EP

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p

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	1,30 €	13,00 €
	0,877 €	87,70 €
	0,705 €	352,50 €
	0,633 €	633,00 €
	0,576 €	1 152,00 €
	0,562 €	2 810,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	7.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	550 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	12.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	25 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5.5 ns
Série:	STF11N60M2-EP
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

STF11N60M2-EP Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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