Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

STF11NM60N

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-STF11NM60N

N° de fab. :

STF11NM60N

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel MOSFET

Complétez votre conception

Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

STF11NM60N Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Notification d'expédition :

Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.

Disponibilité

Stock:: Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Remplacement possible

Fab. :

STMicroelectronics

N° de fab. :

STF13NM60N

Description :

MOSFET N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh

Comparer avec la pièce actuelle

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	450 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	25 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Temps de descente:	12 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	18.5 ns
Série:	STB11NM60
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	22 ns
Poids de l''unité:	2 g