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STF15N60M2-EP

Name: STMicroelectronics STF15N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF15N60M2-EP
Price: 2.2 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STF15N60M2-EP

N° de fab. :

STF15N60M2-EP

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET PTD HIGH VOLTAGE

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Fiche technique:

STF15N60M2-EP Fiche technique (PDF)

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	0,717 €	717,00 €
	0,691 €	1 382,00 €
	0,656 €	3 280,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	11 A
Rds On - Résistance drain-source:	378 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2 V
Qg - Charge de grille:	17 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	25 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	15 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	STF15N60M2-EP
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	11 ns
Poids de l''unité:	2 g