STF26N60M2

STMicroelectronics
511-STF26N60M2
STF26N60M2

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

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Minimum : 1   Multiples : 1
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Prix (EUR)

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2,93 € 2,93 €
1,48 € 14,80 €
1,33 € 133,00 €
1,08 € 540,00 €
0,998 € 998,00 €
0,975 € 1 950,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
165 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Type de produit: MOSFETs
Série: STF26N60M2
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance MDmesh™ II

Les MOSFET de puissance STMicroelectronics MDmesh™ II associent une structure verticale à la disposition en bande de STM pour obtenir l'un des plus bas niveaux de résistance à l'état passant et de charge de grille de l'industrie, les rendant ainsi adaptés à la plupart des convertisseurs haute efficacité les plus exigeants. Ces MOSFET de puissance MDmesh™ II sont entièrement isolés, sont fournis dans un boîtier à profil mince avec une ligne de fuite accrue entre la broche et la platine du dissipateur de chaleur. Ils sont 100 % testés en mode avalanche et offrent une capacité en entrée, une charge de grille et une résistance d'entrée de grille faibles.
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