STF27N60M2-EP

STMicroelectronics
511-STF27N60M2-EP
STF27N60M2-EP

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP pa

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Prix (EUR)

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3,06 € 3,06 €
1,55 € 15,50 €
1,40 € 140,00 €
1,14 € 570,00 €
1,05 € 1 050,00 €
1,03 € 2 060,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
20 A
163 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
33 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Temps de descente: 6.3 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 8.1 ns
Série: STF27N60M2-EP
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Délai de désactivation type: 55.6 ns
Délai d'activation standard: 13.4 ns
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance MDmesh™ II

Les MOSFET de puissance STMicroelectronics MDmesh™ II associent une structure verticale à la disposition en bande de STM pour obtenir l'un des plus bas niveaux de résistance à l'état passant et de charge de grille de l'industrie, les rendant ainsi adaptés à la plupart des convertisseurs haute efficacité les plus exigeants. Ces MOSFET de puissance MDmesh™ II sont entièrement isolés, sont fournis dans un boîtier à profil mince avec une ligne de fuite accrue entre la broche et la platine du dissipateur de chaleur. Ils sont 100 % testés en mode avalanche et offrent une capacité en entrée, une charge de grille et une résistance d'entrée de grille faibles.
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