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STF33N60DM2

Name: STMicroelectronics STF33N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF33N60DM2
Price: 4.64 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STF33N60DM2

N° de fab. :

STF33N60DM2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack

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Fiche technique:

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,64 €	4,64 €
	3,03 €	30,30 €
	2,37 €	237,00 €
	1,98 €	990,00 €
	1,84 €	1 840,00 €
	1,72 €	3 440,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	24 A
Rds On - Résistance drain-source:	110 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	43 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	35 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Série:	STF33N60DM2
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	62 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

STF33N60DM2 Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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