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STF4LN80K5

Name: STMicroelectronics STF4LN80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF4LN80K5
Price: 1.97 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STF4LN80K5

N° de fab. :

STF4LN80K5

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

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	0,963 €	9,63 €
	0,869 €	86,90 €
	0,688 €	344,00 €
	0,61 €	610,00 €
	0,593 €	1 186,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	3 A
Rds On - Résistance drain-source:	2.1 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	3.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	20 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	25 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Série:	STF4LN80K5
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	31 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

STF4LN80K5 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MOSFET haute tension SuperMESH™

Les MOSFET de puissance SuperMESH™ protégés par une diode Zener de STMicroelectronics représentent une optimisation extrême de la disposition PowerMESH™ en bande standard. Les MOSFET SuperMESH de STMicroelectronics SuperMESH réduisent considérablement la résistance à l'état passant tout en garantissant une excellente capacité dv/dt pour les applications les plus exigeantes. Les dispositifs SuperMESH ont une charge de grille réduite et sont 100 % testés en mode avalanche, tout en offrant une capacité améliorée aux ESD et une nouvelle référence de tension élevée. Ces MOSFET de STMicroelectronics sont destinés aux applications de commutation.
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