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STF7N80K5

Name: STMicroelectronics STF7N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF7N80K5
Price: 2.55 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STF7N80K5

N° de fab. :

STF7N80K5

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5

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Fiche technique:

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	0,929 €	464,50 €
	0,82 €	820,00 €
	0,785 €	1 570,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	800 V
Id - Courant continu de fuite:	6 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.2 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	13.4 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	25 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Temps de descente:	22.2 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8.3 ns
Série:	STF7N80K5
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	23.7 ns
Délai d'activation standard:	11.3 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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