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STFI11N65M2

Name: STMicroelectronics STFI11N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STFI11N65M2
Price: 2.31 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STFI11N65M2

N° de fab. :

STFI11N65M2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET POWER MOSFET

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Fiche technique:

STFI11N65M2 Fiche technique (PDF)

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STMicroelectronics

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STF11N65M2

Description :

MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-281-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	7 A
Rds On - Résistance drain-source:	670 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	12.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	25 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh II Plus
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	15 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7.5 ns
Série:	STFI11N65M2
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	9.5 ns
Poids de l''unité:	2,240 g

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Attributs sélectionnés: 0

                        
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